電子產(chǎn)品的可靠性試驗(yàn)分類（二）

（4）低氣壓試驗(yàn)

試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品對(duì)低氣壓工作環(huán)境(如高空工作環(huán)境)的適應(yīng)能力。當(dāng)氣壓減小時(shí)空氣或絕緣材料的絕緣強(qiáng)度會(huì)減弱；易產(chǎn)生電暈放電、介質(zhì)損耗增加、電離；氣壓減小使散熱條件變差，會(huì)使元器件溫度上升。這些因素都會(huì)使被試樣品在低氣壓條件下喪失規(guī)定的功能，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生永*性損傷。

試驗(yàn)條件：被試樣品置于密封室內(nèi)，加規(guī)定的的電壓，從密封室降低氣壓前20min直至試驗(yàn)結(jié)束的一段時(shí)間內(nèi)，要求樣品溫度保持在25+-1.0℃的范圍。密封室從常壓降低到規(guī)定的氣壓再恢復(fù)到常壓，并監(jiān)視這‘過程中被試樣品能否正常工作，微電路被試樣品所施加電壓的頻率在直流到20MHz的范圍內(nèi)，電壓引出端出現(xiàn)電暈放電被視為失效。試驗(yàn)的低氣壓值是與海拔高度相對(duì)應(yīng)的，并分若干檔．如微電路低氣壓試驗(yàn)的A檔氣壓值是58kPa，對(duì)應(yīng)高度是4572m，E檔氣壓值是1.1kPa，對(duì)應(yīng)高度是30480m等等。

（5）耐濕試驗(yàn)

試驗(yàn)?zāi)康模阂允┘蛹铀賾?yīng)力的方法評(píng)定微電路在潮濕和炎熱條件下抗衰變的能力，是針對(duì)典型的熱帶氣候環(huán)境設(shè)計(jì)的。微電路在潮濕和炎熱條件下衰變的主要機(jī)理是由化學(xué)過程產(chǎn)生的腐蝕和由水汽的浸入、凝露、結(jié)冰引起微裂縫增大的物理過程。試驗(yàn)也考核在潮濕和炎熱條件下構(gòu)成微電路材料發(fā)生或加劇電解的可能性，電解會(huì)使絕緣材料電阻宰發(fā)生變化，使抗介質(zhì)擊穿的能力變?nèi)酢?/span>

試驗(yàn)條件：潮熱試驗(yàn)有兩種，即文變潮熱試驗(yàn)和恒定潮熱試驗(yàn)。交受潮熱試驗(yàn)要求被試樣品在相對(duì)濕度為90％～100％的范圍內(nèi)，用一定的時(shí)間(‘般2．5h)使溫度從25℃上升到65℃，井保持3h以上；然后再在相對(duì)濕度為80％一100％的范圍內(nèi)，用一定的時(shí)間(—般2.5 h)使溫度從6s℃下降到25℃，再進(jìn)行一次這樣的循環(huán)后再在任意濕度的情況下將溫度下降到一10 c，并保持3h以上‘再恢復(fù)到溫度為25℃，相對(duì)濕度等于或大于80％的狀態(tài)。這就完成了一次文變潮熱的大循環(huán)，大約需要24h。

一般一次耐濕試驗(yàn)，上述交變潮熱的大循環(huán)要進(jìn)行10次．試驗(yàn)時(shí)被試樣品要施加—定的電壓。試驗(yàn)箱內(nèi)每分鐘的換氣量要求大于試驗(yàn)箱容積的5倍。被試樣品應(yīng)該是經(jīng)受過非破壞性引線牢固性試驗(yàn)的樣品。

（6）鹽霧試驗(yàn)

試驗(yàn)?zāi)康模阂约铀俚姆椒ㄔu(píng)定元器件外露部分在鹽霧、潮濕和炎熱條件下抗腐蝕的能力，是針對(duì)熱帶海邊或海上氣候環(huán)境設(shè)計(jì)的．表面結(jié)構(gòu)狀態(tài)差的元器件在鹽霧、湘濕和炎熱條件下外露部分會(huì)產(chǎn)生腐蝕。

試驗(yàn)條件：鹽霧試驗(yàn)要求被試樣品上不同方位的外露部分都要在溫度、濕度及接收的鹽淀積速率等方面處于相同的規(guī)定條件。這一要求是通過樣品在試驗(yàn)箱內(nèi)放置的相互間的最小距離和樣品的放置角度來(lái)滿足的。

試驗(yàn)溫度：一般要求為(35+-3)'C、在24h內(nèi)鹽淀積速率為2X104mg／m2~5X104mg／m2。鹽淀積速率和濕度是通過產(chǎn)生鹽霧的鹽溶液的溫度、濃度及流經(jīng)它的氣流決定的，氣流中氧氣和氮?dú)獗确菀c空氣相同。

試驗(yàn)時(shí)間：一般分為24h、48h、96h和240h等。

（7）輻照試驗(yàn)

試驗(yàn)?zāi)康模嚎己宋㈦娐吩诟吣芰Ｗ虞椪窄h(huán)境下的工作能力。高能粒子進(jìn)入微電路會(huì)使微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化產(chǎn)生缺陷或產(chǎn)生附加電荷或電流。從而導(dǎo)致微電路參數(shù)退化、發(fā)生鎖定、電路翻轉(zhuǎn)或產(chǎn)生浪涌電流引起燒毀失效。輻照超過某一界限會(huì)使微電路產(chǎn)生永*性損傷。

試驗(yàn)條件：微電路的輻照試驗(yàn)主要有中子輻照和γ射線輻照兩大類。又分總劑量輻照試驗(yàn)和劑量率輻照試驗(yàn)。劑量率輻照試驗(yàn)都是以脈沖的形式對(duì)披試微電路進(jìn)行輻照的。在試驗(yàn)中要依據(jù)不同的微電路和不同的試驗(yàn)?zāi)康膰?yán)格控制輻照的劑量串和總劑量。否則會(huì)由于輻照超過界限而損壞樣品或得不到要尋求的閩值。輻照試驗(yàn)要有防止人體損傷的安全措施。