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半導體芯片的冷熱沖擊試驗
更新時間：2023-01-17 點擊量：586
芯片主要組成物質是硅，內部結構有4大部分：傳感器，分立器件，集成電路，光電器件。集成電路屬于半導體芯片中很重要的一部分，它把數量龐大的晶體管集中到一個小的金屬片上。芯片做得越小，內部的晶體管數量越多，耗能，電容效應，開關頻率越小，性能更好。溫度的改變對半導體的導電能力、極限電壓、極限電流以及開關特性等都有很大的影響。半導體芯片上的元器件分布很密，元器件之間空間非常小，當溫度過高時，元器件體積發生膨脹、擠壓，半導體芯片可能因為擠壓產生裂紋報廢。若溫度太高，集成電路在工作的時候過熱激發高能載流子會增大晶體管被擊穿短路的概率；晶體管性能隨溫度會發生變化，高溫會使部分電路因為性能變化無法正常工作；高溫提高電遷移導致導線工作壽命下降。如果溫度過低，往往會造成芯片在額定工作電壓下無法打開其內部的半導體開關，導致其不能正常工作。所以，芯片在生產過程中，需要對其進行冷熱沖擊試驗。一般情況下，民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃，軍*芯片性能更高，正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍，當芯片不工作時，可以承受超過 200℃ 的焊接溫度。
